<listing id="p5npf"><cite id="p5npf"><ruby id="p5npf"></ruby></cite></listing>
<var id="p5npf"></var><cite id="p5npf"></cite><ins id="p5npf"></ins><cite id="p5npf"></cite>
<var id="p5npf"></var><var id="p5npf"><video id="p5npf"></video></var>
<var id="p5npf"><video id="p5npf"></video></var>
<cite id="p5npf"><span id="p5npf"></span></cite>
<cite id="p5npf"></cite>
<var id="p5npf"><strike id="p5npf"><thead id="p5npf"></thead></strike></var>
<cite id="p5npf"><video id="p5npf"></video></cite>
功率器件篇

與傳統的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外,SiC讓設計人員能夠減少元件的使用,從而進一步降低了設計的復雜程度。羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位,這些器件和模塊在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。圍繞電源、功率轉換、切換電路時所需的電源IC或功率元器件,羅姆將通過應用手冊為您講解其中的設計技巧,助您一臂之力。

活動說明

活動時間:4 月 19 日 - 5 月 18 日(功率器件篇)、5 月 19 日 - 6 月 18 日(電源管理篇)

參與方式:選擇您想下載的資料,點擊“查看詳情”,填寫表單即可免費下載資料,更有機會獲得以下獎品。

活動規則:
1、每個賬號僅有1次獲獎機會;
2、用戶多次注冊的帳號,用戶資料不詳,均視為無效。
3、我們將在每期活動結束后1-2周內,抽取幸運網友,隨機發放禮品!屆時將以置頂帖、站短、郵件等方式通知到獲獎網友。

資料專區
使用熱電偶測量封裝背面溫度時的注意點

本應用手冊記載了為了計算半導體芯片在實際動作時的結溫,使用熱電偶測量封裝背面溫度時的注意點。

熱阻RthJC 的測量方法和使用方法

本應用筆記介紹了從分立半導體器件的結到外殼的熱阻測量方法和使用方法。

SiC功率器件?模塊 應用筆記

SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)構成的化合物半導體材料。

根據測定波形計算功率損耗(SiC)

本應用筆記記載了 SiC MOSFET 方案的開關電路根據測得的開關波形計算 SiC MOSFET 的功率損耗的方法。

柵極-源極電壓的浪涌抑制方法

本應用手冊的目的,是在于闡明 MOSFET 的柵極和源極之間浪涌產生的原因,并提出最適合的應對方法。

柵源電壓測定時的注意點(SiC)

這份應用筆記會對柵源極間電圧測定的注意點予以說明。

熱模型使用方法(SiC功率器件篇)

在 SPICE 模型中,有與熱仿真相關的被稱為熱模型的仿真模型。本應用筆記就熱模型設計的相關方法進行說明。

橋式電路相關的 Gate-Source 電壓的動作

本應用筆記著眼于 MOSFET 橋式電路的各 MOSFET 的 Gate-Source 電圧,介紹開關動作的詳細內容。

緩沖電路的設計方法

本應用筆記中,將對漏極源極尖峰抑制方法之一的緩沖電路的設計方法進行說明。

通過驅動源極端子改善開關損耗

本應用手冊專門就功率元器件使用驅動源極端子所產生的效果和使用注意事項進行說明。

活動禮品
關于羅姆

羅姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要產品-電阻器的生產開始,歷經半個多世紀的發展,已成為世界知名的半導體廠商。羅姆的企業理念是:“我們始終將產品質量放在第一位。無論遇到多大的困難,都將為國內外用戶源源不斷地提供大量優質產品,并為文化的進步與提高作出貢獻”。

羅姆的生產、銷售、研發網絡分布于世界各地。產品涉及多個領域,其中包括IC、分立式元器件、光學元器件、無源元器件、功率元器件、模塊等。在世界電子行業中,羅姆的眾多高品質產品得到了市場的認可和贊許,成為系統IC和先進半導體技術方面的主導企業。

中文官網 www.rohm.com.cn

電源設計技術信息網站

半導體和電阻的基礎知識

常見的技術問題解答

回到活動首頁,發現更多精彩活動 欧美乱码伦视频免费,学生被强奷到舒服的视频,日本公与熄乱理在线播放,成人无遮挡肉动漫视频免费看